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こんにちは。 > これの【0013】に表面に作るCISのバッファ層の温度の一例が書いてあります。 120〜160度が望ましいとの事なので140度程度が理想なのかな。 まぁ何にしてもパネル温度は上がっても70度〜80度でしょうから問題になるとは思えませんが。 >しかし、今のCISやCIGSの膜だけの製造技術がすべてうまくいけば17〜18%くらいのモジュールができるはずなんです。 2010年に産業技術総合研究所が開発したCIGS薄膜型太陽電池は19.4%の光電変換効率を実現したということです。 まぁそれはいいとして、シリコンも研究室レベルでは市販品の物より高い変換効率が出ています。 市販品は理論値より下がるのが当たり前だと思いますよ。 確かに製造は多少難しいかも知れません。 シリコンは15cm程度の大きさのものを繋ぎ合わせれば良いのですが、CIS系はパネル一枚がシリコンで言う1セルみたいなものですから。 (正確には数ミリ毎にスジが有りスジ一本が1セルに相当します。でも製造上一パネルを一度に作りますので。) そう言う意味で製造がこなれれば変換率は上がるでしょう。 事実、私のパネルは75W仕様ですが後に85Wになりましたし。 ところで、太陽光による加熱で変質、とか、ええ加減な電池の質と言うのは何かソースはあるのですか? あれば見たいのですが。 [No.1376] 2011/09/04(Sun) 17:33:16 |